+1 500 000 produits offerts

7000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Enregistrez vous

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ \|\| Plus
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	2,9A
Puissance de dissipation	60W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	1,2Ω
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STP6N60M2

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ || Plus; unipolaire; 600V; 2,9A; 60W

Spécification