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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	800V
Courant du drain	6A
Courant du drain dans l'impulsion	11A
Puissance de dissipation	68W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±30V
Résistance en état de conduction	0,9Ω
Montage	THT
Charge d'entrée	7nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP80N900K6

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 800V; 6A; Idm: 11A; 68W; TO220-3

Spécification