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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ \|\|
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	500V
Courant du drain	3A
Puissance de dissipation	45W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	790mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STP8NM50N

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolaire; 500V; 3A; 45W

Spécification