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STQ1NK60ZR-AP

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 600V; 300mA; Idm: 0,189A; 3W


Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STQ1NK60ZR-AP
Référence TME:
STQ1NK60ZR-AP

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
600V
Courant du drain
0,3A
Courant du drain dans l'impulsion
0,189A
Puissance de dissipation
3W
Boîtier
TO92 Formed
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
15Ω
Montage
THT
Charge d'entrée
4,9nC
Genre de la emballage
Ammo Pack
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.287 g
Certificates
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STQ1NK60ZR-AP
1850 dans l'entrepôt TME
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Méthode d'emballage par le fabricantCarton = 2 000 pcs