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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ DM2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	600V
Courant du drain	17A
Puissance de dissipation	210W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	94mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STW35N60DM2

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolaire; 600V; 17A; 210W

Spécification