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STW3N170

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 1700V; 1,6A; Idm: 10,4A; 0,16W

Fabricant: STMicroelectronics

Marque du fabricant:
STW3N170
Référence TME:
STW3N170

Spécification

Fabricant
STMicroelectronics
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
PowerMesh™
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
1,7kV
Courant du drain
1,6A
Courant du drain dans l'impulsion
10,4A
Puissance de dissipation
0,16W
Boîtier
TO247
Tension entrée-source
±30V
Résistance en état de conduction
13Ω
Montage
THT
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut5 g
Certificates
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STW3N170
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Prix net pour les quantités de 30 pcs - 3.53 USDPrix brut pour les quantités de 30 pcs - 3.53 USD
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