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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ V
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	22A
Puissance de dissipation	210W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	78mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STW45N65M5

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolaire; 650V; 22A; 210W; TO247

Spécification