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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ DM2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	30A
Puissance de dissipation	360W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	58mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STW56N65DM2

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolaire; 650V; 30A; 360W

Spécification