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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	38A
Courant du drain dans l'impulsion	240A
Puissance de dissipation	446W
Boîtier	TO247
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	42mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	0,12µC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

STW65N65DM2AG

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 650V; 38A; Idm: 240A; 446W; TO247

Spécification