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Fabricant	STMicroelectronics
Type de transistor	N-MOSFET
La technologie	MDmesh™ V
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	650V
Courant du drain	61A
Puissance de dissipation	625W
Boîtier	MAX247
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	22mΩ
Montage	THT
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

STY112N65M5

Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolaire; 650V; 61A; 625W; ESD

Spécification