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SUM80090E-GE3

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 150V; 128A; Idm: 240A


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SUM80090E-GE3
Référence TME:
SUM80090E-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
150V
Courant du drain
128A
Courant du drain dans l'impulsion
240A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
D2PAK, TO263
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
9mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
95nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut0.025 g
Certificates

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SUM80090E-GE3
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