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SUM90N03-2M2P-E3

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 30V; 90A; Idm: 200A


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SUM90N03-2M2P-E3
Référence TME:
SUM90N03-2M2P-E3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
30V
Courant du drain
90A
Courant du drain dans l'impulsion
200A
Puissance de dissipation
250W
Boîtier
D2PAK, TO263
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,7mΩ
Montage
SMD
Charge d'entrée
257nC
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Poids brut1.5 g
Certificates
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SUM90N03-2M2P-E3
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