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SUP60020E-GE3

Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 80V; 150A; Idm: 500A


Fabricant: VISHAY

Marque du fabricant:
SUP60020E-GE3
Référence TME:
SUP60020E-GE3

Spécification

Fabricant
VISHAY
Type de transistor
N-MOSFET
La technologie
TrenchFET®
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
80V
Courant du drain
150A
Courant du drain dans l'impulsion
500A
Puissance de dissipation
375W
Boîtier
TO220AB
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,8mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
227nC
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut2 g
Certificates
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SUP60020E-GE3
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