SUP60030E-GE3
Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolaire; 80V; 120A; Idm: 250A
Fabricant: VISHAY
Marque du fabricant:
SUP60030E-GE3
Référence TME:
SUP60030E-GE3
Spécification
Fabricant | VISHAY | |
Type de transistor | N-MOSFET | |
La technologie | TrenchFET® | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 80V | |
Courant du drain | 120A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 250A | |
Puissance de dissipation | 375W | |
Boîtier | TO220AB | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 3,6mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 141nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |
Poids brut2 g
Certificates
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* SUP60030E-GE3Nombre de pièces (Multiplication: 1)
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Prix net pour les quantités de 1 pcs - 4.34 USDPrix brut pour les quantités de 1 pcs - 4.34 USD
Prix net pour les quantités de 10 pcs - 2.49 USDPrix brut pour les quantités de 10 pcs - 2.49 USD
Prix net pour les quantités de 50 pcs - 2.25 USDPrix brut pour les quantités de 50 pcs - 2.25 USD