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TN0110N3-G

Transistor: N-MOSFET; unipolaire; 100V; 350mA; Idm: 2A; 1W; TO92


Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
TN0110N3-G
Référence TME:
TN0110N3-G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
100V
Courant du drain
0,35A
Courant du drain dans l'impulsion
2A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
TO92
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Genre de la emballage
en vrac
Genre de canal
enrichi
Emballage standard du fabricant
1000pc
Poids brut0.215 g
Certificates

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TN0110N3-G
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Multiplication: 1 000.