TP2435N8-G
Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -350V; -231mA; Idm: -1,1A; 1,6W
Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY
Marque du fabricant:
TP2435N8-G
Référence TME:
TP2435N8-G
Spécification
Fabricant | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Type de transistor | P-MOSFET | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | -350V | |
Courant du drain | -231mA | |
Courant du drain dans l'impulsion | -1,1A | |
Puissance de dissipation | 1,6W | |
Boîtier | SOT89-3 | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Résistance en état de conduction | 15Ω | |
Montage | SMD | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Emballage standard du fabricant | 2000pc |
Poids brut0.231 g
Certificates
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* TP2435N8-GNombre de pièces (Multiplication: 2 000)
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Prix net pour les quantités de 2000 pcs - 0.97 USDPrix brut pour les quantités de 2000 pcs - 0.97 USD
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Méthode d'emballage par le fabricantRouleau = 2 000 pcs