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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-JFET / N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	cascode
Tension drain-source	650V
Courant du drain	23A
Courant du drain dans l'impulsion	65A
Puissance de dissipation	190W
Boîtier	TO220-3
Tension entrée-source	±25V
Résistance en état de conduction	80mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	51nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi
Version	ESD

UJ3C065080T3S

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolaire; cascode; 650V; 23A

Spécification