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En savoir plus iciFabricant: ONSEMI
Fabricant | ONSEMI | |
Type de transistor | N-JFET / N-MOSFET | |
La technologie | SiC | |
Polarisation | unipolaire | |
Genre de transistor | cascode | |
Tension drain-source | 1,2kV | |
Courant du drain | 25,5A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 80A | |
Puissance de dissipation | 254,2W | |
Boîtier | TO247-3 | |
Tension entrée-source | -25...25V | |
Résistance en état de conduction | 148mΩ | |
Montage | THT | |
Charge d'entrée | 46nC | |
Genre de la emballage | tube | |
Genre de canal | enrichi |