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UJ3C120080K3S

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolaire; cascode; 1,2kV

Fabricant: ONSEMI

Marque du fabricant:
UJ3C120080K3S
Référence TME:
UJ3C120080K3S

Spécification

Fabricant
ONSEMI
Type de transistor
N-JFET / N-MOSFET
La technologie
SiC
Polarisation
unipolaire
Genre de transistor
cascode
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
35A
Courant du drain dans l'impulsion
140A
Puissance de dissipation
242W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée-source
-25...25V
Résistance en état de conduction
75mΩ
Montage
THT
Charge d'entrée
37,8C
Genre de la emballage
tube
Genre de canal
enrichi
Poids brut1 g
Certificates
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UJ3C120080K3S
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