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Fabricant	ONSEMI
Type de diode	redressement Schottky
La technologie	SiC
Montage	THT
Tension inverse max.	1,2kV
Courant de conduction	50A
Construction de semi-conducteur	diode simple
Boîtier	TO247-3
Tension de conduction max.	1200V
Courant d'impulsion max.	275A
Puissance de dissipation	134W
Genre de la emballage	tube

UJ3D1250K

Diode: redressement Schottky; SiC; THT; 1,2kV; 50A; TO247-3; 134W

Spécification