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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-JFET / N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	cascode
Tension drain-source	750V
Courant du drain	60A
Courant du drain dans l'impulsion	205A
Puissance de dissipation	385W
Boîtier	TO247-3
Tension entrée-source	-25...25V
Résistance en état de conduction	41mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	37,8nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

UJ4C075018K3S

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolaire; cascode; 750V; 60A

Spécification