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Fabricant	ONSEMI
Type de transistor	N-JFET / N-MOSFET
La technologie	SiC
Polarisation	unipolaire
Genre de transistor	cascode
Tension drain-source	750V
Courant du drain	120A
Courant du drain dans l'impulsion	588A
Puissance de dissipation	714W
Boîtier	TO247-4
Tension entrée-source	-25...25V
Résistance en état de conduction	12,9mΩ
Montage	THT
Charge d'entrée	164nC
Genre de la emballage	tube
Genre de canal	enrichi

UJ4SC075006K4S

Transistor: N-JFET / N-MOSFET; SiC; unipolaire; cascode; 750V

Spécification