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UM6J1NTN

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -200mA; Idm: -0,4A; UMT6

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
UM6J1NTN
Référence TME:
UM6J1NTN

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
P-MOSFET x2
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-30V
Courant du drain
-200mA
Courant du drain dans l'impulsion
-0,4A
Puissance de dissipation
0,15W
Boîtier
UMT6
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
2,4Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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UM6J1NTN
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