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En savoir plus iciFabricant | IXYS | |
Type de module semi-conducteur | de transistor MOSFET | |
Construction de semi-conducteur | transistor/transistor | |
Tension drain-source | 300V | |
Courant du drain | 220A | |
Boîtier | Y3-DCB | |
Topologie | demi-pont MOSFET | |
Montage électrique | FASTON connecteurs, vissés | |
Polarisation | unipolaire | |
Résistance en état de conduction | 7,4mΩ | |
Courant du drain dans l'impulsion | 1,16kA | |
Puissance de dissipation | 1,5kW | |
La technologie | HiPerFET™ | |
Tension entrée-source | ±20V | |
Montage mécanique | vissés |