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VP0109N3-G

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -90V; -250mA; Idm: -0,8A; 1W; TO92

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
VP0109N3-G
Référence TME:
VP0109N3-G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-90V
Courant du drain
-0,25A
Courant du drain dans l'impulsion
-0,8A
Puissance de dissipation
1W
Boîtier
TO92
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
Montage
THT
Genre de la emballage
en vrac
Genre de canal
enrichi
Emballage standard du fabricant
1000pc
Poids brut0.215 g
Certificates

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VP0109N3-G
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