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VP2206N3-G

Transistor: P-MOSFET; unipolaire; -60V; -640mA; Idm: -4A; 740mW

Fabricant: MICROCHIP TECHNOLOGY

Marque du fabricant:
VP2206N3-G
Référence TME:
VP2206N3-G

Spécification

Fabricant
MICROCHIP TECHNOLOGY
Type de transistor
P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
-60V
Courant du drain
-640mA
Courant du drain dans l'impulsion
-4A
Puissance de dissipation
0,74W
Boîtier
TO92
Tension entrée-source
±20V
Résistance en état de conduction
0,9Ω
Montage
THT
Genre de la emballage
en vrac
Genre de canal
enrichi
Emballage standard du fabricant
1000pc
Poids brut0.219 g
Certificates

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VP2206N3-G
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