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Fabricant	VISHAY
Type de module semi-conducteur	de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension drain-source	100V
Courant du drain	330A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Polarisation	unipolaire
Résistance en état de conduction	1,3mΩ
Courant du drain dans l'impulsion	1,13kA
Puissance de dissipation	652W
La technologie	TrenchFET®
Genre de canal	enrichi
Tension entrée-source	±20V
Montage mécanique	vissés

VS-FC420SA10

Module; transistor simple; 100V; 330A; SOT227B; vissés; Idm: 1,13kA

Spécification