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Fabricant	VISHAY
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	100A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	240A
La technologie	Trench
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode
Montage mécanique	vissés

VS-GT100DA120UF

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 100A; SOT227B

Spécification