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Fabricant	VISHAY
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor/transistor
Topologie	redresseur H, thermistor NTC
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	75A
Boîtier	ECONO2
Montage électrique	Press-in PCB
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	270A
La technologie	Trench
Montage mécanique	vissés

VS-GT75YF120UT

Module: IGBT; transistor/transistor; redresseur H; Urmax: 1,2kV

Spécification