+1 500 000 produits offerts

6000 colis expédiés chaque jour

+300 000 clients de 150 pays

Avez-vous des questions ? Appelez 678.691.2347 (lun-ven 08.00-18.00 EDT)

Quick Buy Favoris

Pas de douanes américaines – Commandez chez TME en toute confiance

En savoir plus ici

Traitement de données en cours

La limite de votre crédit a été dépassée. La commande sera acceptée mais elle ne sera pas traitée. Le calendrier de livraisons des articles ne sera pas non plus déterminé. Veuillez contacter un employé de TME.

L’opération a été réussie

Une erreur imprévue s’est produite. Réessayer.

Fabricant	VISHAY
Type de module semi-conducteur	IGBT
Construction de semi-conducteur	transistor simple
Tension inverse max.	1,2kV
Courant du collecteur	80A
Boîtier	SOT227B
Montage électrique	vissés
Tension entrée - émetteur	±20V
Courant du collecteur d'impulsion	170A
La technologie	Trench
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs	integrated anti-parallel diode
Montage mécanique	vissés

VS-GT80DA120U

Module: IGBT; transistor simple; Urmax: 1,2kV; Ic: 80A; SOT227B

Spécification