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VT6M1T2CR

Transistor: N/P-MOSFET; unipolaire; 20/-20V; 0,1/-0,1A; Idm: 0,4A

Fabricant: ROHM SEMICONDUCTOR

Marque du fabricant:
VT6M1T2CR
Référence TME:
VT6M1T2CR

Spécification

Fabricant
ROHM SEMICONDUCTOR
Type de transistor
N/P-MOSFET
Polarisation
unipolaire
Tension drain-source
20/-20V
Courant du drain
0,1/-0,1A
Courant du drain dans l'impulsion
0,4A
Puissance de dissipation
0,15W
Boîtier
VMT6
Tension entrée-source
±8V, ±10V
Résistance en état de conduction
3,5/3,8Ω
Montage
SMD
Genre de la emballage
bande, rouleau
Genre de canal
enrichi
Version
ESD
Poids brut0.1 g
Certificates

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VT6M1T2CR
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