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VUI30-12N1

Module: IGBT; diode/transistor; 3-phase PFC; Urmax: 1,2kV; Ic: 65A

Fabricant: IXYS

Marque du fabricant:
VUI30-12N1
Référence TME:
VUI30-12N1

Spécification

Fabricant
IXYS
Type de module semi-conducteur
IGBT
Construction de semi-conducteur
diode/transistor
Topologie
3-phase PFC
Tension inverse max.
1,2kV
Courant du collecteur
65A
Boîtier
V1-A-Pack
Utilisation
onduleur
Montage électrique
FASTON connecteurs
Tension entrée - émetteur
±20V
La technologie
FRED, NPT
Montage mécanique
vissés
Poids brut50 g
Certificates
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VUI30-12N1
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Nombre de pièces (Multiplication: 1)