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WG40N65DFWQ

Transistor: IGBT; 650V; 40A; 125W; TO247-3


Fabricant: WeEn Semiconductors

Marque du fabricant:
WG40N65DFWQ
Référence TME:
WG40N65DFWQ

Spécification

Fabricant
WeEn Semiconductors
Type de transistor
IGBT
Tensions collecteur-émetteur
650V
Courant du collecteur
40A
Puissance de dissipation
125W
Boîtier
TO247-3
Tension entrée - émetteur
±20V
Courant du collecteur d'impulsion
120A
Montage
THT
Charge d'entrée
173nC
Genre de la emballage
tube
Temps de connection
95ns
Temps d'extinction
378ns
Caractéristiques des éléments semi-conducteurs
integrated anti-parallel diode
Poids brut5.985 g
Certificates
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WG40N65DFWQ
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