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Fabricant | WAYON | |
Type de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarisation | unipolaire | |
Tension drain-source | 20V | |
Courant du drain | 8A | |
Courant du drain dans l'impulsion | 49A | |
Puissance de dissipation | 1,56W | |
Boîtier | DFN2030-6 | |
Tension entrée-source | ±12V | |
Résistance en état de conduction | 15,5mΩ | |
Montage | SMD | |
Charge d'entrée | 11nC | |
Genre de la emballage | bande, rouleau | |
Genre de canal | enrichi | |
Construction de semi-conducteur | drain commun | |
Version | ESD |