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WMSC008H12B1P6T

Module; transistor/transistor; 1,2kV; 153A; Press-in PCB; 244W

Fabricant: WeEn Semiconductors

Marque du fabricant:
WMSC008H12B1P6T
Référence TME:
WMSC008H12B1P6T

Spécification

Fabricant
WeEn Semiconductors
Type de module semi-conducteur
de transistor MOSFET
Construction de semi-conducteur
transistor/transistor
Tension drain-source
1,2kV
Courant du drain
153A
Topologie
demi-pont MOSFET, thermistor NTC
Montage électrique
Press-in PCB
Résistance en état de conduction
8mΩ
Courant du drain dans l'impulsion
300A
Puissance de dissipation
244W
La technologie
SiC
Tension entrée-source
-4...18V
Montage mécanique
vissés
Poids brut20 g
Certificates
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WMSC008H12B1P6T
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