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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	N-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	30V
Courant du drain	5,7A
Puissance de dissipation	2,1W
Boîtier	SO8
Résistance en état de conduction	24mΩ
Montage	SMD
Charge d'entrée	12,9nC
Genre de canal	enrichi

ZXMN3F31DN8TA

Transistor: N-MOSFET x2; unipolaire; 30V; 5,7A; 2,1W; SO8

Spécification