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Fabricant	DIODES INCORPORATED
Type de transistor	P-MOSFET x2
Polarisation	unipolaire
Tension drain-source	-30V
Courant du drain	-3,6A
Courant du drain dans l'impulsion	-16,2A
Puissance de dissipation	1,25W
Boîtier	SO8
Tension entrée-source	±20V
Résistance en état de conduction	0,11Ω
Montage	SMD
Genre de la emballage	bande, rouleau
Genre de canal	enrichi

ZXMP3A17DN8TA

Transistor: P-MOSFET x2; unipolaire; -30V; -3,6A; Idm: -16,2A; SO8

Spécification