GeneSiC SEMICONDUCTOR

La société GeneSiC Semiconductor a été fondée en 2002 aux États-Unis et s’est depuis le début concentrée sur le développement, les tests et la production de composants innovants dans la nouvelle technologie du carbure de silicium (SiC, silicon carbide). Le résultat de ces activités sont principalement des diodes et transistors SiC caractérisés par de faibles pertes, un rendement élevé et une résistance aux hautes températures de fonctionnement. Ces solutions sont utilisées partout où les conditions ou les exigences dépassent les capacités de la technologie classique au silicium – en particulier dans les convertisseurs d’énergie renouvelable, dans les contrôleurs haute puissance utilisés dans le domaine de l’automatisation industrielle et de l’énergie ainsi que dans les applications militaires et bien d’autres domaines.

Le catalogue de TME comprend un certain nombre de composants semi-conducteurs GeneSiC avec du carbure de silicium. Il s’agit notamment des diodes Schottky (THT et SMD) avec une intensité de courant allant jusqu’à 50 A (400 A en une impulsion), ainsi que des modules de diodes (vissés) avec une conductivité maximale jusqu’à 420 A (800 A dans une impulsion). Dans le portefeuille du fournisseur, nous proposons également des transistors unipolaires, des modules MOSFET et des composants associés.