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Modules de transistor MOSFET de la marque DACO

Date de publication: 21-01-2020 🕒 3 min de lecture

STE53NC50

L’offre de TME comprend actuellement des modules de transistor MOSFET en technologie de carbure de silicium (silicon carbide, SiC), produits par la société taïwanaise DACO Semiconductor. Ils sont disponibles dans un boîtier connu et confortable SOT227 avec un support isolé.

Grâce à la technologie SiC, les modules peuvent fonctionner à des températures de connecteur plus élevées. Ils sont parfaits pour les applications avec une dissipation thermique plus difficile et pour le fonctionnement dans des conditions thermiques difficiles et partout où il est nécessaire de réduire les pertes de puissance. Ils sont utilisés dans les onduleurs coopérant avec des panneaux photovoltaïques, dans les convertisseurs de puissance, les contrôleurs de moteur, les chargeurs de batterie et dans les alimentations à impulsion.

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Spécification :
Tension drain-source : jusqu’à 1200V
Courant de conduction : jusqu’à 125A
Température max. de connecteur : 150⁰C
Technologie : SiC
Montage : vissé
Boîtier : SOT227

Symbole : Description :
DACMI40N1200-DCO Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 25A ; SOT227B ; vissé
DACMI80N1200-DCO Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 50A ; SOT227B ; vissé
DACMI120N1200-DCO Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 76A ; SOT227B ; vissé
DACMI160N1200-DCO Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 110A ; SOT227B ; vissé
DACMI200N1200-DCO Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 125A ; SOT227B ; vissé

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