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Date de publication: 21-01-2020 🕒 3 min de lecture
L’offre de TME comprend actuellement des modules de transistor MOSFET en technologie de carbure de silicium (silicon carbide, SiC), produits par la société taïwanaise DACO Semiconductor. Ils sont disponibles dans un boîtier connu et confortable SOT227 avec un support isolé.
Grâce à la technologie SiC, les modules peuvent fonctionner à des températures de connecteur plus élevées. Ils sont parfaits pour les applications avec une dissipation thermique plus difficile et pour le fonctionnement dans des conditions thermiques difficiles et partout où il est nécessaire de réduire les pertes de puissance. Ils sont utilisés dans les onduleurs coopérant avec des panneaux photovoltaïques, dans les convertisseurs de puissance, les contrôleurs de moteur, les chargeurs de batterie et dans les alimentations à impulsion.
Découvrez de nouveaux modules DACO »
| Spécification : | |
| Tension drain-source : | jusqu’à 1200V |
| Courant de conduction : | jusqu’à 125A |
| Température max. de connecteur : | 150⁰C |
| Technologie : | SiC |
| Montage : | vissé |
| Boîtier : | SOT227 |
| Symbole : | Description : | |
| DACMI40N1200-DCO | Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 25A ; SOT227B ; vissé | |
| DACMI80N1200-DCO | Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 50A ; SOT227B ; vissé | |
| DACMI120N1200-DCO | Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 76A ; SOT227B ; vissé | |
| DACMI160N1200-DCO | Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 110A ; SOT227B ; vissé | |
| DACMI200N1200-DCO | Module ; simple transistor ; 1,2kV ; 125A ; SOT227B ; vissé |