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Modules IGBT Transistors et modules IGBT d'Ixys

Date de publication: 26-05-2025 🕒 2 min de lecture

Le catalogue de TME offre une large gamme de transistors IGBT discrets et de modules IGBT de puissance. Une attention particulière doit être accordée aux produits du fournisseur renommé et respecté Ixys, qui fait maintenant partie d'une autre-marque bien connue - Littelfuse.

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) are voltage-sont des transistors commandés en tension qui combinent les avantages des BJT traditionnels (tension de fonctionnement élevée, courant important, etc, courant important, faible tension de saturation) et des MOSFET (commutation rapide). Ils sont sur le marché depuis longtemps et se révèlent toujours aussi polyvalents, en particulier dans les-puissance.

Les modules de transistors présentés sont fabriqués à l'aide des technologies Planar Gate et Trench Gate technologies. Les sous-catégories de produits les plus populaires sont les suivantes : PT (Punch Through), NPT (Non-Punch Through), XPT (eXtreme-light Punch Through) et BiMOSFET (une combinaison des technologies MOSFET et IGBT, offrant une densité de puissance élevée et une résistance à la tension inverse allant jusqu'à 1,7kV). La gamme comprend bas (<15kHz), moyenne (15-40 kHz), et haute fréquence (>40kHz) et haute fréquence, adaptées aux fréquences standard (0,6-1,2kV), haute (1,2-1,7kV), et très haute (2,5-4kV).

[Module à un seul transistor IXFN50N120SK]]{.cs-center}

Les modules Transistors IGBT simples en boîtier compact SOT227B (miniBLOC) sont particulièrement intéressants. Ces solutions se caractérisent par des bornes à vis conviviales et une dissipation thermique optimale-ces solutions se caractérisent par des bornes à vis conviviales et une dissipation thermique optimale grâce au substrat DCB (Direct Copper Bonding) - cuivre direct-à-céramique. Elles sont certifiées UL (E72873, E153432) et sont conformes aux normes RoHS.

La famille de produits IGBT SOT227B-est adaptée à une large gamme d'applications telles que : contrôle du moteur, systèmes de sauvegarde UPS, onduleurs PV (installations d'énergie renouvelable, technologie de stockage d'énergie), les machines à souder, CC-CC et CA-Onduleurs DC/DC.

Modules de transistors Ixys

Spécification
Type de module IGBT
Tension inverse max. tension inverse 0.6..1.7kV
Courant collecteur 21...200A
Boîtier SOT227B
Montage électrique vis
Porte-émetteur Tension ±20V
Courant de collecteur pulsé* 0.1..1.5kA
Puissance dissipée 290...1250W
Technologie GenX3™, XPT™
Composants mécaniques vis

* selon le modèle

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