Transistor à effet de champ à jonction (JFET) - définition
Transistor à effet de champ à jonction (JFET) - définition
Le transistor à effet de champ à jonction (Junction Field-Effect Transistor, JFET) est un élément actif semi-conducteur, appartenant à la famille des transistors unipolaires, dont le fonctionnement est basé sur le contrôle de la circulation du courant au moyen d'un champ électrique. Unlike bipolar transistors, the JFET is voltage-controlled and the carriers dominating conduction are charges of one type - electrons in n-type structures or holes in p-type structures.
La structure du JFET se compose d'un canal semi-conducteur à travers lequel le courant circule du drain (D) à la source (S), et d'une électrode de grille (G) qui forme une jonction p-n avec le canal. Dans des conditions normales, le canal est conducteur et l'application d'une tension négative à la grille (pour les JFET de type n) entraîne l'expansion de la couche barrière et la diminution de la section active du canal. Cela a pour effet de réduire le courant de drainage. Lorsque la tension de la grille atteint la tension dite de coupure, le canal est complètement bloqué et le courant cesse de circuler.
Le JFET se caractérise par une impédance d'entrée élevée, due au fait que la grille de la jonction p-n est polarisée négativement et n'absorbe pratiquement pas de courant. Les transistors de ce type sont donc idéaux pour les circuits d'entrée des amplificateurs de signaux à faible puissance, les circuits sélectifs et les filtres analogiques. Ils se caractérisent également par un faible bruit de fond, ce qui est important dans les circuits audio et de mesure.
Le fonctionnement du JFET est linéaire sur une large gamme de paramètres, et ses caractéristiques courant-tension dépendent de la longueur et de la largeur du canal et de la valeur de la tension de grille. Des paramètres tels que le courant de drain maximal, la tension de coupure ou la résistance du canal déterminent ses applications dans des circuits électroniques spécifiques.
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