A1P50S65M2
Módulo: IGBT; transistor/transistor; medio puente IGBT x3; 208W
El productor: STMicroelectronics
Denominación de fabricante:
A1P50S65M2
Símbolo TME:
A1P50S65M2
Especificación
Fabricante | STMicroelectronics | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor/transistor | ||
Topología | medio puente IGBT x3, termistor NTC | ||
Tensión de retorno máx. | 650V | ||
Corriente de colector | 50A | ||
Carcasa | ACEPACK™1 | ||
Uso | inversor, motores | ||
Montaje eléctrico | Press-in PCB | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 100A | ||
Poder disipado | 208W | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto50 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT STMicroelectronics,
* A1P50S65M2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
0 en stock en TME
Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 49.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 49.10 USD
Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 48.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 48.03 USD