APT10M19BVRG
Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 100V; 75A; Idm: 300A
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT10M19BVRG
Símbolo TME:
APT10M19BVRG
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | POWER MOS 5® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 100V | |
Corriente del drenaje | 75A | |
Corriente del drenaje en impulso | 300A | |
Poder disipado | 370W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 19mΩ | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 300nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APT10M19BVRGNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 17.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 17.55 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 15.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 15.96 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 14.02 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 14.02 USD
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