APT25GP120BDQ1G
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 33A; 417W; TO247-3
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT25GP120BDQ1G
Símbolo TME:
APT25GP120BDQ1G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | POWER MOS 7®, PT | |
Tensión colector-emisor | 1,2kV | |
Corriente de colector | 33A | |
Poder disipado | 417W | |
Carcasa | TO247-3 | |
Tensión entrada - emisor | ±30V | |
Corriente de colector en impulso | 90A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 110nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 26ns | |
Tiempo de desconexión | 200ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6.097 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APT25GP120BDQ1GNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 14.67 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 14.67 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 13.65 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 13.65 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 13.05 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 13.05 USD
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