APT31M100B2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 20A; Idm: 120A; 1,04kW
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT31M100B2
Símbolo TME:
APT31M100B2
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | N-MOSFET | |
Tecnología | POWER MOS 8® | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 1kV | |
Corriente del drenaje | 20A | |
Corriente del drenaje en impulso | 120A | |
Poder disipado | 1,04kW | |
Carcasa | TO247MAX | |
Tensión puerta-fuente | ±30V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,38Ω | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 260nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto6 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APT31M100B2Número de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 18.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 18.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 16.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 16.84 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 14.97 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 14.97 USD
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