APT33GF120B2RDQ2G
Transistor: IGBT; NPT; 1,2kV; 30A; 357W; T-Max
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT33GF120B2RDQ2G
Símbolo TME:
APT33GF120B2RDQ2G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | NPT | |
Tensión colector-emisor | 1,2kV | |
Corriente de colector | 30A | |
Poder disipado | 357W | |
Carcasa | T-Max | |
Tensión entrada - emisor | ±30V | |
Corriente de colector en impulso | 75A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 170nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 31ns | |
Tiempo de desconexión | 355ns | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APT33GF120B2RDQ2GNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 26.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 26.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 23.68 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 23.68 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 20.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 20.80 USD
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