APT35GP120B2D2G
Transistor: IGBT; PT; 1,2kV; 46A; 543W; T-Max
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT35GP120B2D2G
Símbolo TME:
APT35GP120B2D2G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de transistor | IGBT | |
Tecnología | POWER MOS 7®, PT | |
Tensión colector-emisor | 1,2kV | |
Corriente de colector | 46A | |
Poder disipado | 543W | |
Carcasa | T-Max | |
Tensión entrada - emisor | ±30V | |
Corriente de colector en impulso | 140A | |
Montaje | THT | |
Carga de puerta | 150nC | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Tiempo de conexión | 36ns | |
Tiempo de desconexión | 0,22µs | |
Propiedades de elementos semiconductores | integrated anti-parallel diode |
Peso bruto6 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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* APT35GP120B2D2GNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 27.93 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 27.93 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 25.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 25.15 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 22.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 22.23 USD
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