APT50GF120JRD
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT50GF120JRD
Símbolo TME:
APT50GF120JRD
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | |
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | |
Estructura del semiconductor | transistor individual | |
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | |
Corriente de colector | 64A | |
Carcasa | SOT227B | |
Montaje eléctrico | atornillado | |
Tensión entrada - emisor | ±30V | |
Corriente de colector en impulso | 225A | |
Tecnología | NPT | |
Clase de empaquetado | tubo | |
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
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