APT50GF120JRD
Módulo: IGBT; transistor individual; Urmax: 1,2kV; Ic: 64A; SOT227B
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT50GF120JRD
Símbolo TME:
APT50GF120JRD
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de módulo semiconductor | IGBT | ||
Estructura del semiconductor | transistor individual | ||
Tensión de retorno máx. | 1,2kV | ||
Corriente de colector | 64A | ||
Carcasa | SOT227B | ||
Montaje eléctrico | atornillado | ||
Tensión entrada - emisor | ±30V | ||
Corriente de colector en impulso | 225A | ||
Tecnología | NPT | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Montaje mecánico | atornillado |
Peso bruto30 g
Certificados
Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca
Consulta otros productos en esta categoría: Módulos IGBT MICROCHIP TECHNOLOGY
* APT50GF120JRDUtilice la tabla de características a continuación para encontrar productos similares
Producto retirado de la oferta
Oferta disponible para clientes registrados