APT80GP60B2G
Transistor: IGBT; PT; 600V; 100A; 1041W; T-Max
El productor: MICROCHIP TECHNOLOGY
Denominación de fabricante:
APT80GP60B2G
Símbolo TME:
APT80GP60B2G
Especificación
Fabricante | MICROCHIP TECHNOLOGY | ||
Tipo de transistor | IGBT | ||
Tecnología | POWER MOS 7®, PT | ||
Tensión colector-emisor | 600V | ||
Corriente de colector | 100A | ||
Poder disipado | 1041W | ||
Carcasa | T-Max | ||
Tensión entrada - emisor | ±20V | ||
Corriente de colector en impulso | 330A | ||
Montaje | THT | ||
Carga de puerta | 280nC | ||
Clase de empaquetado | tubo | ||
Tiempo de conexión | 69ns | ||
Tiempo de desconexión | 233ns |
Peso bruto6 g
Certificados
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* APT80GP60B2GNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 33.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 33.43 USD
Precio neto para cantidades a partir de 3 und - 30.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3 und - 30.08 USD
Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 26.59 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 26.59 USD
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