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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1kV
Corriente del drenaje	17A
Carcasa	SP6P
Topología	termistor NTC
Montaje eléctrico	Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia	0,42Ω
Corriente del drenaje en impulso	88A
Poder disipado	390W
Tecnología	POWER MOS 7®, SiC
Tensión puerta-fuente	±30V
Montaje mecánico	atornillado

APTM100TA35SCTPG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1kV; 17A; SP6P; Press-in PCB; 390W

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca